삼성전자는 업계 최선단 12 나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산에 돌입했다고 18일 밝혔다. D램 미세 공정 경쟁에서 기술 경쟁력을 높이겠다는 뜻이다. 12 나노급 공정은 5세대 10 나노급 공정을 의미한다. 12나노급이란 회로선폭이 12나노미터인 제품을 말한다. 10나노미터(nm)는 머리카락 굵기의1만2000분의 1 정도다.

12나노급 D램. 삼성전자 제공

D램은 다이내믹 램(Dynamic Ram)의 줄임말이다. 정보를 읽고 쓰는 것은 가능하지만 전원이 공급되는 동안이라도 일정 기간 내에 주기적으로 정보를 다시 넣지 않으면 내용이 없어지는 휘발성 메모리 반도체다. 기억소자당 투자 비용이 낮고 집적도를 높이기에 유리해 대용량 메모리로 활용된다.

삼성전자 12 나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전(前) 세대 제품보다 생산성이 약 20% 향상됐다. 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어, 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 설루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1, 0을 구분한다. 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분되어 오류가 발생하지 않는다고 한다.

동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다는 게 삼성전자 설명이다. DDR5 규격의 12 나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2 Gbps(Gigabit per second·초당 전송되는 기가 비트 단위의 데이터)를 지원한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12 나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 응용처에 공급할 계획이다.

데이터 센터의 DDR4를 DDR5로 교체하면 연간 최대 1TWh의 전력이 절감됩니다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12 나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다”며, “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.