SK하이닉스 실적 추이

AI 산업 발전으로 메모리 슈퍼 호황을 맞은 가운데 SK하이닉스 영업이익이 역대 최대 규모인 37.6조 원인 것으로 집계됐다. 영업이익률도 70%를 넘겼다. 메모리 반도체를 생산하는 즉시 고객사에 넘기고 값은 제조사가 결정하는 상황인 것이다.

SK하이닉스는 올해 1분기 매출액 52조 5763억 원, 영업이익 37조6103억 원(영업이익률 72%), 순이익 40조 3,459억 원(순이익률 77%)의 경영실적을 기록했다고 23일 밝혔다. 증권가에서는 이번 실적 발표를 앞두고 40조 원을 넘길 것으로 예상했으나 그 기대치에는 미치지 못했다.

분기 기준으로 볼 때 매출은 사상 최초로 50조 원을 돌파했다. 영업이익과 영업이익률 역시 각각 37.6조 원, 72%로 창사 이래 최고 기록을 달성했다. 영업이익은 전분기 대비 2배 수준으로 급증하며 수익성 개선세를 뚜렷이 보여줬다는 게 회사 측 설명이다.

지난해 4분기 매출은 32조8267억 원, 영업이익 19조1696억 원을 기록한 바 있다.

SK하이닉스는 “1분기는 계절적 비수기임에도 AI 인프라 투자 확대로 수요 강세가 이어진 가운데 HBM·고용량 서버용 D램 모듈·eSSD 등 고부가가치 제품 판매를 확대하며 실적 상승세를 이어갔다”고 설명했다.

이 같은 실적 호조에 힘입어 1분기 말 현금성 자산은 전분기 말 대비 19.4조 원 늘어난 54.3조 원을 기록했다. 반면 차입금은 2.9조 원 감소한 19.3조 원을 기록하며 35조 원의 순현금을 달성했다.

SK하이닉스는 AI가 대형 모델 학습 중심에서 다양한 서비스 환경의 실시간 추론을 반복하는 에이전틱 AI 단계로 진화하면서 메모리 수요 기반이 D램, 낸드 전반으로 넓어졌다고 설명했다.

메모리 효율화 기술 확산 역시 AI 서비스의 경제성을 높이고 전체 서비스 규모 확대로 이어져 메모리 수요를 추가로 견인할 것이라고 내다봤다. 이를 바탕으로 D램·낸드 모두에서 우호적인 가격 환경이 지속될 것으로 전망했다.

SK하이닉스는 D램과 낸드 전반에서 신제품 개발과 공급을 이어가며 다양화된 메모리 수요에 대응한다는 방침이다.

HBM(고대역폭 메모리)은 성능·수율·품질·공급 안정성을 통합한 종합적인 실행 역량을 더욱 강화한다. D램은 세계 최초로 10 나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 LPDDR6와, 같은 공정을 기반으로 이달 양산을 시작한 192GB SOCAMM2의 공급을 본격화한다.

낸드는 CTF 기반 321단 QLC 기술을 적용한 cSSD ‘PQC21’의 공급을 개시한 데 이어 eSSD 전 영역에 걸쳐 고성능 TLC와 대용량 QLC를 아우르는 라인업으로 AI 수요 전반에 유연하게 대응한다. 특히, 대용량 QLC eSSD에 강점을 보유한 솔리다임과의 시너지를 바탕으로 AI 데이터센터와 AI PC 스토리지 시장에서의 경쟁력을 강화할 계획이다.

CTF(Charge Trap Flash)는 전하를 도체에 저장하는 플로팅 게이트(Floating Gate)와 달리 전하를 부도체에 저장해 셀간 간섭 문제를 해결한 기술로, 플로팅 게이트 기술보다 단위당 셀 면적을 줄이면서도 읽기, 쓰기 성능을 높일 수 있는 것이 특징이다.

낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.