삼성전자는 코로나19 팬데믹 이후 처음으로 미국 실리콘벨리에서 반도체 최신 기술과 방향성을 제시하는 테크 데이를 열어 시스템 반도 분야에서는 제품 간 시너지를 극대화해 ‘통합 솔루션 팹리스’가 되겠다고 밝혔다. 팹리스란 위탁 생산 전문 업체를 뜻하는 파운드리와 대비되는 반도체 설계회사를 뜻한다.

미국시간으로 5일 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 테크 데이 2022’ 현장 모습. 삼성전자 제공

미국 현지시간으로 5일 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 테크 데이 2022’에서 메모리사업부장 이정배 사장이 발표하는 모습. 삼성전자 제공

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022(Samsung Tech Day 2022)’를 열어 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다. 2017년 시작된 ‘삼성 테크 데이’는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리다. 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리 사업부장 이정배 사장, 시스템 LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장을 포함해 800여 명이 참석했다.

○ 시스템 반도체 간 시너지 극대화

삼성전자는 이날 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 ‘통합 솔루션 팹리스’로 거듭나겠다고 밝혔다. 삼성전자는 SoC(System on Chip), 이미지센서, 모뎀, DDI(Display Driver IC), 전력 반도체(PMIC, Power Management IC), 보안솔루션 등을 아우르는 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있으며 제품 기술을 융합한 ‘플랫폼 솔루션(Platform Solution)’으로 고객 니즈에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나갈 계획이다.

시스템 LSI사업부장 박용인 사장은 “사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것”이라며 “삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 ‘통합 솔루션 팹리스’가 될 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 4차 산업혁명 시대에는 초지능화, 초연결성, 초데이터가 요구된다고 전망하고 이를 위해 인간 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다고 밝혔다.

SoC에서는 NPU(Neural Processing Unit), 모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 향상하는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 CPU, GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력 강화할 계획이다. 사람 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고 사람의 오감을 감지하는 센서도 개발할 예정이다.

삼성전자는 이번 행사에서 부스 전시를 통해 첨단 시스템 반도체 제품을 선보였다. 차세대 차량용 SoC ‘엑시노스 오토 V920’, 5G 모뎀 ‘엑시노스 모뎀 5300’, QD(Quantum Dot) OLED용 DDI 등 신제품들과 프리미엄 모바일 AP ‘엑시노스 2200’, 업계 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 ‘아이소셀(ISOCELL) HP3’, ‘생체인증카드’용 지문인증 IC 제품도 공개됐다.

엑시노스 2200은 최첨단 4 나노 EUV 공정, 최신 모바일 기술, 차세대 GPU, NPU가 적용된 제품으로 게임, 영상처리, AI 등 다양한 영역에서 새로운 차원의 사용자 경험을 제공한다. 0.56㎛ 크기 픽셀의 아이소셀 HP3는 픽셀 크기를 기존 제품 대비 12% 줄여 모바일 기기에 탑재할 카메라 모듈 크기를 최대 20%까지 축소하는 것이 가능해졌다.

지문인증 IC는 삼성전자가 업계 최초로 카드에 각각 탑재하던 하드웨어 보안칩(SE, Secure Element), 지문 센서, 보안 프로세서를 하나의 IC칩에 통합한 제품으로 신용카드 사용자의 편의성을 높인다.

○ 메모리 반도체 세션…“기술 리더십 유지”

이날 오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 ‘5세대 10 나노급(1b) D램’, ‘8세대/9세대 V낸드’를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개하고 차별화된 솔루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나가겠다고 밝혔다.

메모리 사업부장 이정배 사장은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트를 넘어서고 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다”며 “향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호 진화하며 발전해 나갈 것”이라고 말했다.

삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술의 성장을 위해 글로벌 IT 기업들과 협력해 나가겠다고 밝혔다.

데이터센터용 고용량 32Gb DDR5D램, 모바일용 저전력 8.5 Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36 Gbps GDDR7D램 등 차세대 제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 할 예정이다.

삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이다. 또 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.