- 1TB 용량 SSD 연내 선뵐 예정

SK하이닉스가 기존의 3차원(3D) 낸드플래시 메모리 반도체 제품에서 한 차원 진화한 ‘4D 낸드플래시’(사진)를 세계에서 처음으로 개발했다고 4일 밝혔다.

3D 낸드플래시에 주로 적용되는 CTF(Charge Trap Flash) 구조에 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 ‘96단 512Gb급 TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시가 개발된 것이다.

512Gb는 칩 하나로 64GB의 고용량 저장장치 구현이 가능한 고부가가치 제품이다. 낸드플래시란 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있는 플래시 메모리의 한 종류다.

SK하이닉스는 CTF 기반에서는 처음으로 PUC 기술을 도입했다는 차별성을 강조하기 위해 이 제품의 이름에 ‘4D’를 붙였다고 설명했다. 이 제품은 기존의 72단 512Gb 3D 낸드보다 칩 크기는 30% 이상 줄었고 웨이퍼당 비트 생산은 1.5배 수준으로 늘었다.

또 동시 처리 가능한 데이터는 업계 최고 수준인 64KB에 달하며 쓰기·읽기 성능도 72단 제품보다 각각 30%와 25% 향상됐다. 특히 칩 크기가 줄었기 때문에 1개로 기존 256Gb 3D 낸드 2개를 대체할 수 있고 생산 원가에서도 유리하며 전력 효율도 개선했다는 게 SK하이닉스 측의 설명이다.

CTF는 2D 낸드에서 주로 사용한 ‘플로팅 게이트’의 한계를 극복하기 위해 셀 간의 간섭을 최소화함으로써 성능과 생산성을 혁신적으로 개선한 기술로, 대부분 메모리 업체가 3D 낸드에 적용한다. PUC는 데이터를 저장하는 셀 영역 하부에 셀 작동을 관장하는 주변부 회로를 배치하는 기술이다.

앞서 SK하이닉스는 지난 8월 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋(FMS)’에서 4D 낸드 기반의 차세대 낸드플래시 솔루션 출시 계획을 밝힌 바 있으며 이번에 개발한 4D 낸드 제품을 탑재한 1TB 용량의 소비자용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 올해 안에 선보이기로 했다.

정옥재 기자